Micron Technology объявила о начале серийного производства памяти HBM3E (High Bandwidth Memory 3E). Это память будет использоваться в графических процессорах NVIDIA H200 Tensor Core. HBM3E обеспечивает высокую производительность и эффективность для решений искусственного интеллекта (ИИ).
Пропускная способность памяти HBM3E составляет более 1,2 ТБ/с, а скорость передачи данных - более 9,2 Гбит/с. Решение также отличается низким энергопотреблением на ~30% по сравнению с конкурирующими предложениями. HBM3E имеет емкость 24 ГБ и обладает бесшовной масштабируемостью, что позволяет масштабировать приложения ИИ.
Компания Micron также работает над разработкой HBM4 и представит решение HBM3E с емкостью 36 ГБ в ближайшем будущем. Micron является партнером TSMC по альянсу 3DFabric и продолжает развивать передовые технологии упаковки и памяти для инноваций в области полупроводников и систем.