Найти тему
ДКО Электронщик

Микросхемы памяти от PUYA Semiconductor

Компания PUYA Semiconductor специализируется на разработке и поставке SPI NOR Flash-памяти и EEPROM. Основанная в 2012 году, в настоящее время компания занимает одно из лидирующих мест в мире по производству данной продукции. Штаб-квартира расположена в Шанхае с филиалами в Шэньчжэне для продаж и обслуживания.

Микросхемы памяти производятся по передовым технологиям, отличаются экономичностью, высокой надежностью и являются хорошим выбором для работы с микроконтроллерами и микропроцессорами.

Продукция компании предназначена для потребительского и промышленного рынков, а в последние годы налажено производство автомобильной электроники, аттестованной по AEC Q100.

На сайте производителя Puya Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. имеется возможность параметрического подбора и поиск аналогов Winbond, Macronix, GigaDevice.

Особенности SPI NOR Flash:

  • Плотность памяти: 512 Кбит...256 Мбит;
  • Интерфейс: SPI;
  • Напряжение питания: U 1.65...3.6 В, L 1.65...2 В, H 2.3...3.6 В;
  • Высокая энергоэффективность:режим Deep Power-down: 100 нА (1.8 В), 500 нА (3.3 В, 4 Мбит),
    стирание/запись: 2 мА;
  • Гибкая запись и стирание:поддержка постраничного стирания,
    поддержка Dual Page Program (8/16 M) или Quad Page Program (32 М);
  • Высокая надежность:100 тыс. циклов, хранение данных 20 лет,
    поддержка повышенной температуры: 105 °C (серия P25Q-E),
    защита от электростатических разрядов: 4 кВ HBM;
  • Корпуса: SOP 150 mil, SOP 208 mil, TSSOP-8, USON 2х3 мм, USON 3х4 мм, WSON 6х5 мм, DIP-8

Особенности EEPROM:

  • Плотность памяти: 2 Кбит...2 Мбит;
  • Интерфейс: I²C, SPI;
  • Напряжение питания: 1.6...5.5 В, 1.65...3.6 В, 1.7…5.5 В;
  • Высокая надежность:4 млн циклов и хранение данных 100 лет для промышленного исполнения,
    1 млн циклов и хранение данных 100 лет для стандартного исполнения,
    поддержка 105 °C для промышленного исполнения,
    защита от электростатических разрядов: 6 кВ HBM;
  • Высокая энергоэффективность:режим standby:500 нА,
    запись: 1.5 мА;
  • Время записи: 3 мс;
  • Корпуса: SOP, TSSOP, UDFN 2х3 мм, WLCSP, SOT23-5, MSOP8, DIP-8
Рис. Микросхемы памяти от PUYA Semiconductor
Рис. Микросхемы памяти от PUYA Semiconductor

Производители: PUYA

Разделы: Энергонезависимая память