Найти в Дзене
ДКО Электронщик

Силовые SiC транзисторы на 1200 В от Wolfspeed

Компания Wolfspeed (CREE) предлагает силовые МОП-транзисторы на основе карбида кремния с максимальным напряжением исток-сток 1200 В. Транзисторы третьего поколения C3M0xxx120 отличаются высоким блокирующим напряжением с низким сопротивлением открытого канала (16…350 мОм), а также высокоскоростным переключением с малыми паразитными емкостями. Транзисторы имеют заметные преимущества по сравнению с кремниевыми MOSFET, включая снижение требований к охлаждению, уменьшение потерь при переключении и подавление колебательных процессов в цепи затвора. Кроме того, C3M0xxx120 обеспечивают увеличение плотности мощности и частоты переключения системы.

Области применения:

  • Промышленные источники питания;
  • Питание серверов и телекоммуникаций;
  • Системы зарядки электромобилей;
  • Системы хранения энергии (ESS);
  • Источники бесперебойного питания;
  • Солнечные инверторы;
  • Приводы двигателей электромобилей;
  • Высоковольтные DC-DC преобразователи;
  • Коммутация нагрузок.

Особенности:

  • Технология SiC MOSFET 3-го поколения;
  • Напряжение сток-исток (VDSS): 1200 В;
  • Низкая зависимость сопротивления открытого канала (RDS(on)) от температуры;
  • Малые паразитные емкости;
  • Быстрый встроенный диод с малым обратным восстановлением;
  • Снижение потерь при переключении и минимизация «звона» в цепи затвора;
  • Более высокая эффективность системы;
  • Увеличение частоты переключения системы;
  • Снижение требований к охлаждению;
  • Увеличение удельной мощности;
  • Оптимизированный корпус с отдельным контактом истока;
  • Дополнительный вывод истока по схеме Кельвина (кроме TO-247-3);
  • Корпуса: TO-247-4, TO-247-3, TO-263-7;
  • Не содержит галогенов, соответствует требованиям RoHS
Рис. SiC транзисторы C3M0xxx120 Wolfspeed
Рис. SiC транзисторы C3M0xxx120 Wolfspeed

Производители: Cree Power

Разделы: Полевые транзисторы