Найти тему

SiC MOSFET E-серии 1200 В 120 мОм в корпусе TO-263-7 от Wolfspeed

Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила новый SiC МОП-транзистор E-серии 1200 В 120 мОм в корпусе TO-263-7 специально предназначенный для электромобильных применений E3M0120090J.

 SiC MOSFET E-серии 1200 В 120 мОм в корпусе TO-263-7 от Wolfspeed
SiC MOSFET E-серии 1200 В 120 мОм в корпусе TO-263-7 от Wolfspeed

Транзисторы E-серии оптимизированы и квалифицированы для применения в зарядных устройствах электромобилей.

Параметры E3M0120090J :

  • VDS : 900 В
  • ID при 25°С: 22 A
  • RDS[on] при 25°С: 120 мОм
  • корпус: TO-263-7
  • максимальная температура перехода: 150°С
  • заряд обратного восстановления (Qrr): 72 нКл
  • выходная ёмкость: 48 пФ
  • суммарный заряд на затворе: 18 нКл
  • время обратного восстановления (Trr): 10 нс

Скачать техническое описание E3M0120090J

Также, доступен SiC MOSFET 1200 В 40 мОм Gen 3 в корпусе TO247-3 C3M0040120K.

Преимущества транзистора E3M0120090J:

  • квалифицирован для электромобилей (AEC-Q101) и доступно PPAP
  • значение Vbr минимум 900 В во всём диапазоне рабочих температур
  • высокоскоростное переключение при низкой выходной ёмкости
  • высокое блокирующее напряжение при низком RDS (on)
  • быстрый встроенный диод с низким зарядом обратного восстановления (Qrr)

Скачать каталог Wolfspeed

Новинки SiC MOSFET компонентов:

SiC MOSFET 1200 В 32 мОм в корпусе TO-263-7L XL

SiC MOSFET 1200 В 40 мОм 3 поколения

SiC диод Шоттки E-серии 1200 В 8 A в корпусе TO-263-2

Компания Макро Групп является официальным дистрибьютором Wolfspeed в России.