Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила новый SiC МОП-транзистор E-серии 1200 В 120 мОм в корпусе TO-263-7 специально предназначенный для электромобильных применений E3M0120090J.
Транзисторы E-серии оптимизированы и квалифицированы для применения в зарядных устройствах электромобилей.
Параметры E3M0120090J :
- VDS : 900 В
- ID при 25°С: 22 A
- RDS[on] при 25°С: 120 мОм
- корпус: TO-263-7
- максимальная температура перехода: 150°С
- заряд обратного восстановления (Qrr): 72 нКл
- выходная ёмкость: 48 пФ
- суммарный заряд на затворе: 18 нКл
- время обратного восстановления (Trr): 10 нс
Скачать техническое описание E3M0120090J
Также, доступен SiC MOSFET 1200 В 40 мОм Gen 3 в корпусе TO247-3 C3M0040120K.
Преимущества транзистора E3M0120090J:
- квалифицирован для электромобилей (AEC-Q101) и доступно PPAP
- значение Vbr минимум 900 В во всём диапазоне рабочих температур
- высокоскоростное переключение при низкой выходной ёмкости
- высокое блокирующее напряжение при низком RDS (on)
- быстрый встроенный диод с низким зарядом обратного восстановления (Qrr)
Скачать каталог Wolfspeed
Новинки SiC MOSFET компонентов:
SiC MOSFET 1200 В 32 мОм в корпусе TO-263-7L XL
SiC MOSFET 1200 В 40 мОм 3 поколения
SiC диод Шоттки E-серии 1200 В 8 A в корпусе TO-263-2
Компания Макро Групп является официальным дистрибьютором Wolfspeed в России.