В основе диодных лазеров лежат полупроводниковые гетероструктуры на основе арсенида галлия или других соединений. В зависимости от технологии легирования полупроводниковых гетероструктур, каждый диодный лазер излучает на строго фиксированной длине волны, входящей в ближний инфракрасный диапазон от 800 до 900 нм. Длительность импульса от 5 до 30 мс, частота следования импульсов порядка 1 Гц, плотность энергии на ткани - 10-40 Дж/см2 в лазерном пятне диаметром 9 мм. Система эпиляции лазером с длиной волны 808 нм/755 нм/1064 нм основана на действии выборочного излучения на волосяные луковицы в фазе анагена (фазе активного роста). Выборочное излучение позволяет регулировать интенсивность и продолжительность воздействия лазерных импульсов на волосяной фолликул. Исключительная эффективность диодного лазера заключается в том, что воздействие направлено не просто на сам волос, но на причины его роста – волосяной фолликул, который разрушается под термическим воздействием и питающие его капилляр
Как работает диодный лазер и почему мы решили его производить?
29 ноября 202229 ноя 2022
407
1 мин