Компания Samsung Electronics объявила о завершении первых в отрасли 8-Гбит чипов памяти LPDDR5 DRAM. По заявлению Самсунг "это очень важный шаг в развитии мобильной памяти с низким энергопотреблением".
Разработанные чипы памяти обеспечивают скорость до 6400Мбит/с, что выше чем чипы памяти которые сейчас использует флагманы мобильного сегмента(LPDDR4X, 4266мбит/с). А это около 51.2ГБ данных в секунду.
Новая память будет доступна в двух вариантах: первая, со скоростью передачи в 6400мбит/с с рабочим напряжением 1.1 В, вторая, со скоростью 5500мбит/с, но с напряжением 1.05В. При этом для достижения еще меньшого энергопотребления были осуществлены идеи такие как "режим глубокого сна", с наполовину меньшим энергопотреблением чем у LPDDR4X DRAM, и возможность понижение напряжения в зависимости от используемой скорости.
