⚡️Сверхплотная флеш-память будущего от Samsung: высокоплотная и энергоэффективная
⚡️Сверхплотная флеш-память будущего от Samsung: высокоплотная и энергоэффективная Исследователи из Samsung разработали NAND-флеш память будущего, объединив затворы из сегнетоэлектриков и каналы из оксидных полупроводников, что позволило снизить энергопотребление и повысить плотность. — Технология: сегнетоэлектрические полевые транзисторы (FeFET) с диэлектриком из легированного цирконием оксида гафния (HfZrO) и каналом из оксидного полупроводника (IGZO) — Рабочие напряжения: 4–6...