Глобальный поставщик решений для бизнеса IBM уже объявил о том , что он создал 2нм чип с помощью Gate-All-Around архитектуры устройства (GAA) нанолист. Новая схема транзисторов позволит IBM разместить 50 миллиардов транзисторов в крошечном пространстве размером с ноготь. Современные высокопроизводительные чипы, такие как Qualcomm Snapdragon 888 и Apple A14 Bionic, используют 5-нм техпроцесс. Однако количество транзисторов, которые эти чипсеты могут уместить в пространстве для ногтей, не превышает 12 миллиардов.
Эта веха IBM может изменить правила игры в полупроводниковой промышленности. Компания заявляет, что срок службы батарей в смартфонах, использующих технологию 2 нм, будет значительно увеличен до четырех раз по сравнению с текущим сроком службы батарей в телефонах, использующих 7 нм техпроцесс. Подразумевается, что, по данным IBM, ваш смартфон будет нуждаться в зарядке в среднем только один раз в четыре дня.
Количество транзисторов, которые могут уместиться на площади в квадратный миллиметр, является показателем прочности и эффективности микросхемы. Более мощный и энергоэффективный чипсет имеет более высокий рейтинг в этом отношении. При использовании микросхем с большим числом транзисторов на квадратный мм достигается существенное повышение производительности и экономия энергии.
В основе концепции IBM лежит технология экстремальной ультрафиолетовой литографии. В результате получаются линии за пределами видимого спектра света, которые используются для создания шаблонов, используемых для построения схем. Архитектура GAA также позволяет передавать превосходные электрические сигналы через другие транзисторы на одном кристалле и между ними.
IBM также заявляет, что она активно проводит исследования по 2-нм техпроцессу, и выпуск чипов, производимых с помощью этого процесса, маловероятен в ближайшие несколько лет. В прошлом году TSMC сообщила, что работает над 2-нм чипами, но выпуск запланирован на 2025 год.
Подписывайтесь На Мой Канал В Telegram: Тут
Источник: Тут