FS3L30R07W2H3FB11 – это новый IGBT-модуль с быстродействующими карбидокремниевыми диодами Шоттки от компании Infineon. Модуль имеет топологию 3-фазного моста со связанной нейтралью и встроенным NTC-термодатчиком (рис. 1). Применение SiC-диодов CoolSiC пятого поколения позволяет повысить эффективность проектируемых изделий.
Подложка из оксида алюминия обладает высокой температурной проводимостью и улучшает тепловой режим модуля. Соединение с интерфейсной платой осуществляется методом прессовой посадки (Press-Fit), что обеспечивает надежный контакт во всем диапазоне рабочих температур благодаря эффекту «холодной сварки».
Модули FS3L30R07W2H3FB11 позволят разработчикам создать высокоэффективные ИБП, солнечные инверторы и высокоскоростные электроприводы.
Технические характеристики и особенности:
- Топология: 3-уровневый 3-фазный мост;
- Встроенный датчик температуры (NTC);
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В;
- Ток коллектора: 30 А;
- Напряжение насыщения VCE(sat): 1.5 В;
- Напряжение падения на диоде VF: 1.6 В;
- Низкие потери при переключении;
- Высокоскоростные IGBT HighSpeed 3;
- Быстродействующие карбидокремниевые диоды Шоттки CoolSiC 650 В;
- Подложка из Al2O3 с низким температурным сопротивлением;
- Технология прессовой посадки PressFIT;
- Корпус: EasyPACK 2B;
- Размер: 56х48х12 мм
Рис. 1. Топология модуля
Производители: Infineon
Разделы: Модули силовые IGBT